ALD-444 搜索结果

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本文介绍了原子层沉积(ALD)法的原理,强调了前体和表面化学的重要性。通过适当调整实验条件,即温度和脉冲时间,生长通过饱和步骤进行。作为例子,描述了最近为微电子学中使用的薄膜开发的选定的ALD工艺。这些包括沉积用于电介质的氧化膜,以及...

Aizu ALDS1_2_D Shell Sort(希尔排序) Accepted丶 12-05 444 #include <bits/stdc++.h> #define _ ios_base::sync_with_stdio(0);cin.tie(0);#define INF 0x3f3f3f3f #define eps 1e-5typedef long long LL; cons...

1.分析师:陈杭登记编号:S1220519110008联系人:胡园园证券研究报告2022年4月21日【拓荆科技-688072-国产薄膜沉积设备产业化先锋方正电子·公司深度报告】拓荆科技(688072)国产薄膜沉积设备产业化先锋布局PECVD+ALD+SACVD投资要点资料来源:wind...

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