INP-011 搜索结果

Alice（鈴木ありす）[AD-159]发行于2009-04-17时长99分钟出品商是アウダースジャパン,AD-159作品种子搜索下载,[INP-011]发行于2009-02-24时长123分钟出品商是ピーターズ,INP-011作品种子搜索下载

在上横坐标上，角度“0”定义为从方向绕[011](或等效的轴顺时针旋转。图2，定义为从轴顺时针旋转。0° = 54.7°、90°和144.7°时的局部最小值决定了蚀刻过程中刻面的斜率或米勒指数。这些角度对应于方向上取向的掩模条纹的和...

DOI: CNKI:SUN:GTDZ.0.1983-01-011 被引量: 2 年份: 1983 收藏 引用 批量引用 报错 分享 全部来源 求助全文 知网 (中南林图书馆已购) 万方 相似文献 引证文献一种对InP基RFIC晶圆进行电化学减薄抛光的方法 本发明公开了一种...

INP-400PS416-OUT-400PS416-CPU-300PS416-POW-400 HC-MF43BP60B18550RXS00SGMAH-04AAA41SGDM-04ADASGMAH-08AAA41SGMAH-08AAA4CSGMGH-44ACA61SGMGH-20ACA61SGM-04A312SGM-02A314<...

【摘要】:本文报道Si+注入InP材料与AuGeNi合金和W金属膜的欧姆接触特性.发现Si+单注入样品与二者均形成较好的欧姆接触,共P+注入的样品中比接触电阻则大大下降(约小一个数量级).卢瑟福背散射分析表明,600℃热处理后W金属膜与InP界面作用...

1邓云龙;涡轮LP-MOCVD研制GaInP/GaA1InP应变多量子阱高亮度发光二极管[D];华南师范大学;2002年 2杜荣建;超高速光时分复用通信系统关键技术研究[D];天津大学;2003年 3吕威;低维半导体材料(InGaN量子阱、InAs量子点)显微结构与光学性能...