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ALD-448 搜索结果

  • うな 二宮沙樹 亜紗美[ALD-448]作品及种子搜索下载

    紫彩乃[SCD-66]西田美沙 水野美香 佐藤江梨花 みゆき真実 椎名れいか 桃瀬ゆうな 二宮沙樹 亜紗美[ALD-448]作品及种子搜索下载
    2023-02-24 21:00:00

    紫彩乃[SCD-66]发行于2011-02-23时长101分钟出品商是ルビー,SCD-66作品种子搜索下载,西田美沙 水野美香 佐藤江梨花 みゆき真実 椎名れいか 桃瀬ゆうな 二宮沙樹 亜紗美[ALD-448]发行于2011-07-07时长241分钟出品商是桃太郎映像出版,ALD-448作品种子搜索下载

  • 半导体[薄膜工艺]-ALD-原子层沉积; -

    半导体[薄膜工艺]-ALD-原子层沉积; -
    2023-12-11 03:33:00

    原子层沉积 (ALD) 是一种改进的 CVD 工艺,用于制造薄膜。该工艺使用多种气体,这些气体交替导入工艺室。每种气体的反应方式使得当前表面饱和,因此当反应停止时,替代气体能够以相同的方式与该表面发生反应。在这…

  • ALD/CVD高纯度前驱体 -

    ALD/CVD高纯度前驱体 -
    2025-07-17 02:58:19

    上海源象化学是一家专业从事提供和开发用于化学气相沉积和 原子层沉积 薄膜材料所需的特种电子化学品—即 ALD/ CVD高纯度前驱体源 ,以支持相关科研院校在半导体、显示、纳米、新能源、催化等领域的学术研究。公司在苏州建设有2000平方米的研发中心和多条生产实验线,产品种

  • ALD原子层沉积技术发展及应用

    ALD原子层沉积技术发展及应用
    2025-07-13 20:33:37

    随着微电子行业的发展, 集成度不断提高、器件尺寸持续减小, 使得许多传统微电子材料和科技面临巨大挑战, 然而原子层沉积(ALD)技术作为一种优异的镀膜技术, 因其沉淀的薄膜纯度高、均匀性及保行性好, 还能十分精确地控制薄膜的厚度与成分, 仍然备受关注并被广泛应用于半导体

  • 薄膜沉积-原子层沉积(ALD)设备

    薄膜沉积-原子层沉积(ALD)设备
    2023-10-12 04:52:40

    ALD技术是一种特殊的真空薄膜沉积方法,具有较高的技术壁垒。ALD技术通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应室并在沉积基底上发生表面饱和化学反应形成薄膜。通过ALD镀膜设备可以将物质以单原子层的形式一层一层沉积在基底表面,每镀膜一次/层为一个原子层,根据原子特性,镀膜10次/层约为1nm。4、技术对比 PVD为物理...

  • Ald-PEG(2k)

    Ald-PEG(2k)
    2024-08-07 08:03:06

    英文名称:Ald-PEG-Ald 中文名称:聚乙二醇二丙醛 分子量:0.4k、0.6k、1k、2k、3.4k、5k、10k、20k(支持定制)规格标准:1g, 2g, 5g(95%+),可提供mg级以及kg级的产品开发服务 存储条件:-20℃下冷冻保存,并保持在干燥的环境中,避免频繁解冻和冷冻。【使用注意事项】环境要求:在取用Ald-PEG-Ald时...

  • 番号汇总,有码部分基本完成 · sggwqaa/AvNumber@493fc6b · GitHub

    番号汇总,有码部分基本完成 · sggwqaa/AvNumber@493fc6b · GitHub
    2025-07-16 16:00:00

    448 + - MADA:常规番号 449 + 450 + ### K·M·Produce 451 + 452 + ### Millioon 453 + 454 + - MILD:不详 455 + - RMLD:不详 456 + 457 + ### BAZOOKA 458 + 459 + 原宇宙企划子公司 460 + 461 + - MDB:不详 462 + - RMDBB:不详 463 + - RMDS:不详 464 + 465 ...

  • 原子层沉积(ALD)前体

    原子层沉积(ALD)前体
    2021-01-05 16:00:00

    原子层沉积(ALD)已成为一种沉积功能薄膜的重要技术,它可以在纳米级尺度上精确控制物质成分和形貌,将被沉积物质以单原子膜形式一层一层地镀在基底表面(图1)[1]。原子层沉积过程是通过连续、自限制的半反应实现的,因其沉积薄膜厚度可控性、均匀性、保形性等优异性能,被广泛应用于电子材料、太阳能电池等领域中[2]...