ALD-450 搜索结果

[ALD-450]发行于2011-07-07时长240分钟出品商是桃太郎映像出版,ALD-450作品种子搜索下载,[TXD-069]发行于2006-02-03时长98分钟出品商是グローリークエスト,TXD-069作品种子搜索下载

TiN/Si:HfO2/TiN 1 mol% 10 ALD NLA 100 pulses/0.4 J/cm2 19 (2Pr) 1.5 [45] TiN/Zr:HfO2/TiN 50 at% 7.5/9.5 ALD 450 °C 16 1 [47] TiN/Zr:HfO2/TiN 50 at% 9 ALD 500 °C 17 1 [20] ...

埃因霍温理工大学研究人员在今年七月的ALD会议上,首先介绍了使用ALD在450℃和低温条件下生长二维MoS2材料的情况。他们展示了如何在CMOS兼容的SiO2/Si衬底上采用等离子体增强型ALD技术合成二维MoS2膜。这些二维MoS2膜具有可调形态(平面和垂直...

SNALD 450H2 SNALD 600 SNALD 600H SNALD 600H2 SNALD 1/2x1-S-1 SNALD 1/2x1-S-2 SNALD 1/2x1-S-3 SNALD 1/2x1-S-4 SNALD 1/2x2-S-1 SNALD 1/2x2-S-2 SNALD 1/2x2-S-3 SNALD 1/2x2-S-4 SA...