FETD-039 搜索结果

結城リナ 長澤リカ 神崎レオナ（七瀬かすみ）[D-100313]发行于2007-12-24时长138分钟出品商是ドグマ,D-100313作品种子搜索下载,[FETD-039]发行于2007-12-20时长100分钟出品商是アルファーインターナショナル,FETD-039作品种子搜索下载

描述数据表供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量RoHS 安装风格 封装/ 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd...

vc2WqjYeD2VruJE039VSoJEsNpbD2k80hPw2rlXVSEAuS28U8fWo8P8epD45FeYeT0D56Q4lrEiMLIBatUwJ9PVABELxuOvJasC++gxrGR8P3HWJoXlZ/jNZMG8S3XfyBky8nzp4aoRlWWARVnTEyOpKJbkEtDqMITdQWeRveBspIVmw8x6pGJTTmQSLd05M436K6sHoSUz3XmrVT8K+kqSGxUpqfQCmnW9X2ZavH4TUjpKXZ...

FET是“Field Effect Transistor，场效应晶体管”的英文缩写，它是由p型半导体和n型半导体所构成的pn结组成。场效晶体管（场效应晶体管、场效应管)是一种用电场效应来控制电流的电子器件。场效应晶体管是一种三极管，包括源极、栅极和漏极。场效应晶体管通过向栅极施加电压来控制电流，这反过来会改变漏...

结果表明,ML $mathrm{Ga}_2 mathrm{O}_3$ 具有 4.92eV 的准直接带隙。在充分考虑声子散射的情况下,计算得到 x 和 y 方向的电子迁移率分别为 1210 和 816 $mathrm{cm}^2 mathrm{V}^{-1} mathrm{s}^{-1}$(300K) 。电子—声子散射机制表现出温度依赖性行为,声学模在 300K 以下占主导地位,...