INP-020 搜索结果

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InP:a=5.86Å, Eg = 1.35 eV, 直接能带结构, μn=4600cm2/V-s, μp=150cm2/V-s , εs = 12.4 .①为双能谷半导体，电子的谷间转移性质是: 阈值电场=10.5 kV/cm ,峰值速度= 2.5×107 cm/s...

INP-020 Car Fitment: MITSUBISHI Warranty: 12 Months Place of Origin: Guangdong, China Brand Name: DEFUS Engine Code: petrol Car Model: MIT-SU-BISHI Color: orange Product Name: ...

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0.10966355, 0.02079294, -0.03829115], [ 0.00225757, -0.12751001, -0.12703758, 0.17167819, -0.03712473, 0.04252302, 0.04741228, -0.02731293]]], dtype=float32)

长波长激光器光电器件器件性能异质结电极有源层衬底制作工艺光致抗蚀剂单模光纤本文主要叙述InP光电器件——长波长InGaAsP激光器的材料选择、制造工艺、器件性能及其应用简况。doi:CNKI:SUN:BDTJ.0.1986-03-020盛柏桢电子部第五十五研究所...