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11N120CND是N沟绝缘栅双极型(IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)晶体管,主要参数: 1200V;43A;298W 。 7 1 已赞过 已踩过< 你对这个回答的评价是? ...

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①、关于以上 11N120CND属于电磁炉专用功率管,其参数是://耐压:1200V//电流:20A//。②、关于以上那 IRFP264 属于N沟道场效应管,其参数是//耐压:250Ⅴ//...

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